Категория
Информатика
Тип
дипломная работа
Страницы
8 стр.
Дата
11.04.2015
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1047988.zip — 5.52 kb
  • summirujushhij-sinxronnyj-schetchik_1047988_1.html — 22.12 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ФГАОУ ВПО «ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

В Г. ТАГАНРОГЕ

КАФЕДРА ФИЗИКИ



ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к индивидуальному заданию

по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»

Тема задания

«Структура металл-диэлектрик-полупроводник»

Вариант №6.2


Выполнил: студент гр. Э-60

Ростов А.В. Проверил

Профессор Захаров А.Г



Таганрог 2012г.


Введение


В МДП-транзисторе с поликремниевым затвором n-типа нужно рассчитать пороговое напряжение и построить диаграмму зависимости порогового

Напряжения от концентрации примесных атомов акцепторного типа проводимости, построить энергетическую диаграмму МДП-структуры с заданной концентрацией примесей в кремнии в режиме сильной инверсии. Рассчитать дифференциальной емкости МДП-структуры в режимах сильной инверсии и обогащения. Исходные данные: Диэлектрик - SiO2, Тип затвора: вырожденный поликремний n, толшина окисла 90 нм., T-290, диапазон концентраций примисий Nd, (10^13-10^17) см^-3 , концентрация примисей в кремнии NDi,= 210^16 см^-3.


1. Анализ физических процессов в заданной полупроводниковой структуре


МДП-СТРУКТУРА (металл - диэлектрик - полупроводник) - структура, образованная ' пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлическим электродом. При подаче на МДП-с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с диэлектриком возникает электрических поле. Оно перераспределяет заряды в полупроводнике, изменяя концентрацию носителей заряда вблизи поверхности, и, следовательно, изменяет электропроводность приповерхностного слоя полупроводниковой пластины.




Ваше мнение



CAPTCHA