Категория
Информатика
Тип
курсовая работа
Страницы
15 стр.
Дата
14.07.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1037524.zip — 9.68 kb
  • texnologija-izgotovlenija-diffuzionyx-rezistorov-na-osnove-kremnija_1037524_1.html — 42.62 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Министерство образования и науки российской федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Воронежский государственный технический университет

ФГБОУВПО ВГТУ

Факультет радиотехники и электроники

Кафедра полупроводниковой электроники и наноэлектроники



Курсовой проект

по дисциплине: Процессы микро- и нанотехнологии

Тема:

Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния



Выполнил: студент группы МТЭ-091

Токарев С.В.

Проверил: доц. к.т.н. Пантелеев В.И.



Воронеж 2013


Содержание


Введение

. Основные положения теории диффузии

.1 Распределение примеси при диффузии

.2 Двухстадийная диффузия

. Диффузионные резиcторы

. Экспериментальная часть

Заключение

Список литературы


Введение


Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы интегральных микросхем.

Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высоко интегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС), сверхбольших (СБИС), ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств - микропроцессоров.

Интегральные изделия имеют малые габариты, экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и высокую надежность, что позволило развить электронику в интегральную и функциональную микроэлектронику, далее в наноэлектронику.



Ваше мнение



CAPTCHA