Категория
Информатика
Тип
практическая работа
Страницы
27 стр.
Дата
07.07.2014
Формат файла
.html — Html-документ
Архив
1036432.zip — 16.11 kb
  • issledovanie-bipoljarnogo-tranzistora-v-staticheskom-rezhime_1036432_1.html — 70.03 Kb
  • Readme_docus.me.txt — 125 Bytes
Оцените работу
Хорошо  или  Плохо


Текст работы

Евразийский национальный университет имени Л.Н.Гумилева



Лабораторная работа №3

Исследование биполярного транзистора в статическом режиме


Составитель: Мукан Ж.Б.



Астана - 2012г.

Цель работы: Изучение работы биполярного транзистора в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ)


Теоретические сведения


Биполярным транзистором называют трёхслойную полупроводниковую структуру с чередующимися типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и образующую два встречно включённых взаимодействующих p -n переходов (рис. 1.). Взаимодействие переходов обеспечивается тем, что они расположены достаточно близко друг от друга - на расстоянии, меньшем диффузионной длины носителей зарядов. Транзистор электропреобразовательный полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены явлениями переноса зарядов в твёрдом теле (явления инжекции и экстракции неосновных носителей) усиления, генерирования и преобразования сигналов.


Рис. 1. Структура биполярного транзистора и их условно - графическое изображение (УГО)


Термин «транзистор» происходит от комбинации английских слов transfer of resistor, что в переводе означает «преобразователь сопротивления». Термин «биполярный» означает, что в этом транзисторе используются подвижные носители обоих знаков - электроны и дырки (в отличие от полевых транзисторов, в которых используется только один тип носителей).

Таким образом, транзистор представляет собой полупроводниковый кристалл, в котором две крайние области с однотипной электропроводностью разделены областью противоположной электропроводности. В зависимости от электропроводности этих трёх областей различают транзисторы n-p-n и p-n-p типов, УГО которых проиллюстрированы на рис. 1. Принцип действия обоих типов транзисторов одинаков.



Ваше мнение



CAPTCHA